交机仪式上夏季

DRAM与NAND Flash市场预期下半年将延续荣景，主要装备厂商业绩也有望改善。其中的最大幕后推手就是三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)。

据ET News指出，最主要的原因就在于下半年的装备投资将以NAND Flash为主，而三星正在扩大 D NAND的产量;SK海力士也正在进行年底量产 D NAND的准备。南韩设备厂光是消化三星、SK海力士的新订单就足以扩大事迹。而美光(Micron)、新帝(Sandisk)、东芝(Toshiba)等厂商也正在如火如荼的准备 D NAND的量产。

若将构造由原来以水平组成Cell的2D NAND，改成以垂直堆叠Cell的 D NAND，在生产芯片时，蒸镀以及蚀刻制程的步骤也将增加。虽然暴光制程维持不变，但蒸镀将会增加50~60%左右的步骤，而蚀刻也将增加 0~40%。因此，供应蒸镀以及蚀刻设备的IPS、TES和PSK等南韩设备厂皆有望受惠。

D NAND正以大容量资料贮存装置市场为中心，需求快速成长。另外，除旗舰智能型手机外，中低价智能型手机贮存容量的提升，也加速了 D NAND市场的成长脚步。

三星电子也开始增设位于大陆西安的 D NAND Flash装备，一般认为，三星将会在大陆西安投资量产48阶层 D NAND。到2016年初为止，预期将会增设 .5万片的范围。以后，也预期三星会将原来的 2阶层NAND转换为48阶层。

随着三星的扩产，预期将有望强化在 D NAND Flash市场的主导权。目前市场上虽然只有三星已量产 D NAND Flash，但日后随着竞争对手技术的提升，有可能将会侵蚀三星既有的市场版图。

市调机构IHS指出，全球NAND Flash市场上，2015年 D产品比重约为4.5%。2016年则将快速提升到21.2%，到了2017年时则将达到近半的41.2%，成长速度惊人。因此不只是三星，SK海力士、东芝等业者，都计划在下半年开始进军 D NAND Flash市场。

SK海力士第二代 6层 D NAND研发作业将在第 季初完成，目前正在进行下半年量产 D NAND的准备。2015年底将着手对第三代48层 D NAND进行验证，开启第三代NAND时代。

此外，东芝和新帝、美光和英特尔(Intel)也开始建立策略合作关系，共同研发 D NAND。据悉，东芝将于2016年上半将在日本四日市工厂量产128Gb 48层 D NAND。而美光和英特尔则是计划在年底量产256Gb 2层堆叠MLC NAND和 84Gb容量TLC NAND。

另一方面，DRAM由于微细制程的转换，也预告了另外1波的投资潮。据悉，三星目前20纳米DRAM比重，到第2季为止，约已扩大到20%左右的水准。而SK海力士25纳米DRAM量尺比重，在第2季也已调整至60%左右。除25纳米之外，SK海力士也有可能会量产20纳米DRAM，对此南韩设备厂的期待甚高。

最后，量产投资也是备受注视的领域。南韩业界指出，三星17产线已经优先选择DRAM生产，不久应该也会决定是不是要投资系统芯片。三星最终到底是会选择DRAM装备？还是系统芯片装备？更是近期所注视的焦点。

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